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王立富;
机译:SiC单晶晶片的发展趋势实现高质量大直径SiC单晶晶片对低损耗SiC功率器件的实际应用的期望
机译:ROHM和SiC功率器件的发展趋势SiC功率模块为低碳社会做出了贡献,包括低损耗和低浪涌电压。
机译:下一代功率半导体器件技术发展的进步,实现低损耗和高输出的演示11kW SiC逆变器,这是世界上最高的功率损耗降低约70%
机译:针对电力业务应用的SiC器件和SiC逆变器的开发(SiC功率电子技术发展的历史)
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:采用siC在HEmT器件上的GaN,具有40 dBm饱和输出功率的3.6 GHz Doherty功率放大器
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:SiC外延晶片,SiC外延晶片的制造方法,SiC器件和功率转换器件
机译:制造表面改性的单晶SiC基质,具有表观生长层的单晶SiC基质,半导体芯片,用于单晶SiC增长的种子基质以及多晶硅SiC基质的制造方法
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