国内首个80nm自旋转移矩——磁随机存储器芯片器件制备成功

摘要

北京航空航天大学与中国科学院微电子研究所的研究人员联合制备出了国内首个80nm自旋转移矩-磁随机存储器芯片（STT—MRAM）器件。