单晶硅化学机械抛光的PLC控制系统设计

摘要

为了完成单晶硅的化学机械抛光,本文提出了一种单晶硅化学机械抛光设备的控制系统设计方法。该控制系统以西门子的PLC S7-200为核心,实现控制单相交流电机的旋转运动和步进电机水平往复周期性运动,实现对不同尺寸的单晶硅晶片设置合适的运动参数,可以得到高表面质量的表面。并针对特定尺寸的单晶硅晶片进行抛光实验,得到满足粗糙度要求的表面。