硅片自旋转磨削表面粗糙度建模与分析

摘要

通过对单晶硅材料不同去除机理的研究,分析了单晶硅材料磨削过程中不同去除形式所对应的磨粒去除深度.结合硅片自旋转磨削中砂轮与硅片相对运动特点,分别建立了针对硅片不同材料去除机理的表面粗糙度模型,通过实验对模型进行了对比,结果表明所建立的模型符合实验结果,并得出以下结论:采用自旋转磨削硅片时,表面粗糙度值随砂轮转速和硅片转速的增大而减小,随砂轮轴向进给速度增大而增大,且这三个工艺参数中,砂轮轴向进给速度对硅片表面粗糙度值的影响最大.