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邹继军; 常本康; 杜晓晴;
南京理工大学电子工程与光电技术学院;
分子束外延; 梯度掺杂; GaAs光电阴极; 量子效率; 激活;
机译:梯度掺杂GaAs光电阴极与均匀掺杂GaAs光电阴极的比较
机译:MOCVD和MBE生长的GaAs光电阴极的比较:第一性原理和实验研究
机译:具有梯度组成和指数掺杂结构的透射模式AlxGa1-xAs / GaAs光电阴极的量子效率
机译:梯度掺杂NeA GaAs光电阴极的激活实验与量子效率理论
机译:快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译:晶格匹配Ga1-x中光电流振荡的实验研究和数值模拟在XñÿAs1-y/ GaAs量子阱p-i-n光电二极管
机译:1极高电荷,高偏振梯度掺杂应变Gaas光电阴极
机译:极高电荷,高偏振梯度掺杂应变Gaas光电阴极
机译:检测包括核苷酸序列和装置在内的小生物物体表面上分子组的位置和类型的电子干扰方法(57)本发明涉及检测生物物体的结构,可用于研究小型生物物体的表面结构物体(例如大分子)并检测其上放置的分子的位置和类型。一种装置,包括具有在其上的由非导电材料制成的基底的基底,光电阴极和阳极,其中在其之间存在用于研究对象的位置和电子散射体。光电阴极内至少有一个窗口,该光电阴极区域与窗口相邻,该窗口由功函数降低的材料制成。窗口通过至少一个狭缝连接到光电阴极之外的区域,其长度超过其宽度。在窗口和狭缝区域下方以较小的深度布置有冷却电极,其中在电极和缝隙区域下方布置有加速电极。
机译:MBE生长期间GaAs,(Al,Ga)As和其他化合物半导体中Si掺杂的控制
机译:Si掺杂GaAs单晶锭及其制造方法,以及由Si掺杂GaAs单晶锭制成的Si掺杂GaAs单晶晶片
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