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孙雷; 沈鸿烈; 李金泽; 吴天如; 丁古巧; 朱云; 谢晓明;
南京航空航天大学材料科学与技术学院;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
信息功能材料国家重点实验室;
石墨烯; Cu-In合金; 化学气相沉积;
机译:CVD法在Ge(100)/ Si(100)衬底上生长石墨烯
机译:通过CVD技术直接在Si衬底上生长的石墨烯薄膜的拉曼光谱和椭圆偏振光谱分析,以估计石墨烯的原子面数
机译:大型石墨烯电子平台-CVD生长的六方氮化硼上单层石墨烯的CVD生长
机译:石墨烯通过减压CVD:生长压力依赖性的脸部蓝宝石衬底上直接生长
机译:通过CVD法在Ni / Cu合金上合成石墨烯并利用石墨烯作为热电器件的扩散阻挡层的生长机理。
机译:EBSD和低kV EDS的Ni衬底上CVD石墨烯膜的表征
机译:将CVD生长的单层石墨烯转移到任意基材上。
机译:CVD-石墨烯和无聚合物的方法将CVD生长的石墨烯转移到疏水性基质上
机译:石墨烯和无聚合物的方法将CVD生长的石墨烯转移到疏水性基材上
机译:石墨烯和无聚合物的方法将CVD生长的石墨烯转移到疏水性基质上
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