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Charles G. Sodini; 肖辉杨;
MOS集成电路; 工艺; 器件设计; 结构;
机译:MOS集成电路的制造工艺和器件设计支持技术的开发
机译:具有改进的MOS器件模型的低功耗低温512×512像素红外读出集成电路
机译:具有高能量注入埋层的高压MOS器件-低压CMOS工艺可与高压MOS器件媲美
机译:硅化钛工艺对超大规模集成电路超微米MOS器件中氧化物电荷俘获和热电子可靠性的影响
机译:用于低温制造集成电路器件的新颖工艺和结构。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:0.1μmAlgan/ GaN高电子迁移率(HEMTS)工艺的改进的大信号模型及其在W频段中实际单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:用于VLsI(超大规模集成)器件的集成电路制造工艺的计算机辅助设计(半导体集成电路的计算机辅助工程)
机译:具有用于设计片上系统集成电路器件的分层结构的数据库及其设计方法
机译:包括具有分层结构的电路块的半导体集成电路器件及其设计方法
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