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任国浩; 秦来顺; 陆晟; 李焕英;
中国科学院上海硅酸盐研究所;
Czochralski法; Lu2SiO5:Ce晶体; 晶体生长; 发光特性; 硅酸镥;
机译:Lu_2SiO_5和Lu_2SiO_5:Ce单晶膜的生长和发光特性
机译:LPE法生长未掺杂和Ce〜(3+)掺杂的Y_2SiO_5和Lu_2SiO_5单晶膜的闪烁和发光特性
机译:Lu_2SiO_5:Ce和(Lu_(1-x)Gd_x)_2SiO_5:Ce单晶膜的生长和发光特性
机译:溶胶-凝胶法制备Lu_2SiO_5:(Ce〜(3 +),Tb〜(3+))光学薄膜的发光特性研究
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的III族氮化物晶体管器件的生长和特性。
机译:Sn2 +和Ce3 +掺杂的Cs2SnCl6双钙钛矿晶体的光致发光特性
机译:CZOCHRALSKI法的铜锗合金晶体晶体的生长条件
机译:Czochralski法生长晶体温度分布的模拟
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