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舒斌; 张鹤鸣; 任冬玲; 王伟;
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
异质结互补金属氧化物半导体场效应晶体管; 应变Si; 应变SiGe; 垂直层叠;
机译:一次性SiGe点上的应变CMOS建模:形状对电/热特性的影响
机译:薄应变Si / SiGe双量子阱的MOSFET在电应力下的闪烁噪声及其衰减特性
机译:使用瞬态电容测量的应变Si / SiGe晶片的电特性
机译:研究衬底诱导的应变Si / SiGe沟道以优化CMOS数字电路特性
机译:Si-As-Te非晶(玻璃)半导体的电和光学特性研究
机译:勘误:基于从头算的蒙特卡洛模拟法在纳米Si和SiGe中的热传输
机译:基于P-I-N红外光电探测的应变Si / SiGe / Si超晶格中量子传输的模拟1.3 - 1.55μm光学通信
机译:基于应变si / siGe异质结构的可调谐室温发光二极管
机译:在NMOS通道上具有应变SiGe鳍和应变Si覆盖层的CMOS FinFET器件
机译:在NMOS沟道上具有应变SiGe鳍和应变Si覆层的CMOS FinFET器件
机译:带有Si:C和SiGe应力源的应变薄型CMOS
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