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董耀旗; 孔蔚然;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
上海宏力半导体制造有限公司;
中国科学院研究生院;
氧化层退化; F-N隧穿; 闪存存储器;
机译:用于多晶硅的强氧化混合酸衍生的高质量氧化硅隧道隧穿层钝化硅太阳能电池
机译:硅化钨对多晶硅-氧化-硅电容器中Fowler-Nordheim隧穿电流和电荷陷阱的影响
机译:通过不同模型验证Ni / SiO2 / n-4H SiC和n(+)多晶硅/ SiO2 / n-4H SiC MOS器件中Fowler-Nordheim电子隧穿机理
机译:p + / n +氧化硅多晶硅隧穿结作为p型PERC电池的串联应用界面
机译:用于深亚微米CMOS应用的多晶硅锗栅极技术和直接隧穿氧化物。
机译:二氧化硅纳米颗粒/γ-APTES纳米复合材料的pH敏感型多晶硅线传感器中的伽马射线灭菌作用
机译:扫描石墨(0001)平面和非平面萘酞菁扫描隧穿显微镜及扫描隧道光谱研究。第1部分:非平面性对非平面锡 - 萘酞菁的adlayer结构和电压诱导翻转的影响
机译:pLZT上二氧化硅激光熔硅中多晶硅栅FET的制备
机译:用于生产位于硅板的二氧化硅覆盖区域上的多晶硅层的方法及其在生产非平面自对准MOS晶体管中的应用
机译:定位在硅覆盖的二氧化硅区域上的多晶硅层的形成方法及其在制造自动非平面MOS晶体管中的应用
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