Ta^(5+)、Nb^(5+)掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶光电性质研究进展

摘要

β-Ga_(2)O_(3)作为宽禁带半导体材料,以其优越的光学性质、电学性质和广阔的应用前景近年来受到国内外学者的广泛关注。基于本研究团队在如何制备β-Ga_(2)O_(3)单晶及如何通过掺杂五族离子实现对β-Ga_(2)O_(3)单晶电学性质及光学性质的调控两个重要课题上的深入研究,对β-Ga_(2)O_(3)单晶的制备方法、Ta5+与Nb5+掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶的电学性质及光学性质进行了综述。