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周爱榕; 王栋; 高珊; 陈军宁;
安徽大学电子信息工程学院;
围栅; 阶梯掺杂沟道; 自由电荷; 体电势; 3D-ATLAS;
机译:具有垂直高斯掺杂分布的短沟道薄型全耗尽绝缘体上硅MOSFET的电势和阈值电压的解析模型
机译:短沟道薄膜全耗尽圆柱/环绕栅(CGT / SGT)MOSFET的精确二维分析模型
机译:具有耗尽型PtSi肖特基势垒触点和掺杂剂隔离功能的全耗尽UTB和Trigate N沟道MOSFET
机译:用于圆柱形,全耗尽,周围栅极(SG)MOSFET的紧凑,分析二维阈值电压模型
机译:一阶准静态MOSFET沟道电容模型
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:全耗尽sOI(绝缘体上硅)mOsFET的短沟道效应
机译:自耗尽边缘背栅引起的具有反向短沟道效应(SCE)的全耗尽型低体掺杂场效应晶体管(FET)
机译:深耗尽型沟道MOSFET,具有最小的掺杂剂波动和扩散水平
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