基于时域法的单条形InP/InGaAsP-EAM调制器的行波电极的仿真与实验研究

摘要

行波电极(Traveling wave electrode,TW),是目前广泛采用的一种电极结构,可缩短光载波与调制信号的互作用长度,可有效避免分布电容(Contribution capacity,CR)对调制带宽的限制。基于时域法设计、分析了InP／InGaAsP-EAM调制器行波电极,并与实际制作的EAM的行波型TW进行了特征阻抗Z_c、损耗系数α对比,结果表明用时域法设计、计算的TW的特征阻抗、损耗系数与实测的结果符合的较好,特征阻抗约为45Ω,在0～20 GHz的频率范围,损耗系数α小于4 dB／mm。