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张侃; 梁仁荣; 徐阳; 许军;
清华大学微电子学研究所;
应变硅; 锗硅; 迁移率增强; 温度特性;
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机译:具有应变和MOS接口缓冲器工程的III–V n-MOSFET的电子迁移率增强技术和物理理解
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机译:应变In0.52al0.48as / InxGa(1-x)as(x 0.53)HEmT(高电子迁移率晶体管)的设计和实验特性。
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