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贺道奎; 权五云;
复旦大学ASIC国家重点实验室;
金属-氧化物-半导体场效应晶体管; 表面势; 量子效应; 集约模型;
机译:同时考虑寄生BJT和表面MOS沟道的碰撞电离的PD SOI NMOS器件的闭合形式击穿电压模型
机译:适用于高级MOS架构的低肖特基势垒源极/漏极:器件设计和材料方面的考虑
机译:包含量子力学效应的基于表面势的显式MOSFET模型
机译:主体MOS模型(BMM)考虑完整的2D量子效应
机译:用于对MOS器件建模的量子力学校正的变分原理。
机译:考虑交流场效应的圆形膜MEMS器件的半线性椭圆模型
机译:化学反应势表面的振动失活:H + FH,D + FD,H + FD和D + FH低势垒共线模型的精确量子研究
机译:半导体器件,肖特基势垒二极管,场效应晶体管,MIS场效应晶体管和MOS场效应晶体管
机译:具有简单量子势的谐振腔效应的半导体器件topf。
机译:MOS型量子效应器件和逻辑元件
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