扫描电镜电子通道衬度技术研究铜双晶体循环饱和位错组态

摘要

通过对垂直晶界［５９１３］⊥［５７９］铜双晶体进行循环变形，借助于扫描电镜电子通道衬度技术研究了组元晶体及晶界附近的循环饱和位错组态，结果表明两个组元晶体的表面滑移程度不同，两个组元晶体中的循环饱和位错组态也明显不同，驻留滑移带只能在组元晶体Ｇ１中形成，驻留滑移带能够到达晶界但不能穿过晶界．讨论了组元晶体取向对双晶体的表面滑移形貌及饱和位错组态的影响以及驻留滑移带与晶界的交互作用．