GaAsFET 4GHz电调振荡器的设计与制作

摘要

比较了共源、共栅、共漏3种电路,并组合场效应管外延,设计出采用反沟道接法的共漏电路.分析了FET场效应管的特征频率、最大输出功率、单向功率增益和最大振荡频率等主要特性参数.通过制作和调试,完成的GaAsFET振荡器达到频带输出功率＞100mW,频率4～4.3 GHz的设计性能要求.所设计的电调振荡器误差小,性能稳定,具有良好的实际应用价值.