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杨丹丹; 徐永宽; 程红娟; 张嵩; 李晖; 徐所成; 史月增; 刘金鑫; 岳洋; 张峰; 郝建民;
中国电子科技集团公司第四十六研究所;
天津300220;
氢化物; 气相外延; 氮化镓; X射线双晶衍射; 拉曼光谱; V/Ⅲ;
机译:生长速率对HVPE生长的厚GaN层结构的影响
机译:HVPE生长的厚GaN层:模板的影响
机译:通过HVPE在压力生长的GaN衬底上沉积厚的GaN层
机译:孔化化对HVPE生长GaN的发光的影响及多孔层对超长GaN薄膜质量的影响
机译:通过选择性地区MOCVD生长的异膜厚GaN层和垂直大功率器件
机译:HVPE生长的GaN晶体中的应力对MOCVD-GaN / 6H-SiC衬底的影响
机译:用夹心法生长厚单晶GaN外延层的气相生长
机译:纳米柱兼容层和HVPE的生长法生产高质量的复合半导体材料
机译:使用纳米结构顺应层和HVPE的生长方法以生产高质量的化合物半导体材料
机译:利用纳米结构自适应层和HVPE的生长方法以生产高质量的化合物半导体材料
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