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姬成周; 张燕文; 李国辉; 王文勋; 苏里曼;
北京师范大学;
北京电子管厂;
MeV离子注入; 磷化铟; 两步退火;
机译:通过使用Fe离子注入和快速热退火的后生长工艺实现半绝缘InGaAsP / InP层
机译:在注入的InP:Fe上生长的InP / GaInAs层中注入离子的平面pin二极管
机译:Fe在热退火的半绝缘InP(Fe)中的重新分布:确定InP中Fe的扩散系数
机译:快闪退火和常规快速热退火后,P型硅衬底上超浅注入的P〜+层的表征
机译:MeV离子注入层在III-V化合物半导体中的表征和应用。
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:在硅中1meV注入硼的退火
机译:Gaas和Inp中注入Fe和Ti的热退火研究
机译:通过MEV BILLI(用于横向隔离的埋入注入层)和埋入层注入来改善CMOS闩锁的方法
机译:通过MEV BILLI(用于横向隔离的埋入式注入层)和埋层注入来改善CMOS闩锁的方法
机译:在硅层/硅锗层/硅层的层积结构中仅用离子注入法选择性地形成硅锗层的方法,而无需在顶层和底部层中形成图案,仅选择性地形成硅锗层
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