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张玉芹; 周晓华; 杨新石; 孙成礼; 张树人;
电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室;
微波介质陶瓷; BaZn0.33Nb0.67O3-Ba3CoNb2O9(BCZN); Zn缺位; Ba8CoNb6O24;
机译:镁替代对Ba((Co_(0.6)Zn_(0.4))_(1/3)Nb_(2/3))O_3复合钙钛矿陶瓷有序/无序转变,微观结构和微波介电特性的影响
机译:Y_2O_3取代对Ba(Co_(0.6)Zn_(0.38))_(1/3)Nb_(2/3)O_3陶瓷微波介电性能的影响
机译:热压Co_(0.6)Zn_(0.4)Fe_20_4-PVDF PbTi_(0.7)Zr_(0.3)O_3和Co_(0.6)Zn_(0.4)Fe_2O_4-PVDF-BaTi_(0.7)Zr_(0.3)O_3多铁性复合材料的制备和研究电影
机译:BA(Mg_(0.2 / 3)Zn_(0.8 / 3)NB_(2/3))O_3和BA_(1-x)SR_X(MG_(0.2 / 3)Zn_(0.8 / 3)NB_(2 / 3))O_3微波陶瓷
机译:Ba(Zn [1/3] Ta [2/3])O [3] -Ba(Zn [1/3] Nb [2/3])O [3]系统和BaO-Sm [2] O [ 3] TiO [2]陶瓷的制备方法及微波频段介电性能的研究
机译:铌掺杂对0.4(Bi0.5K0.5)TiO3-0.6BiFeO3无铅压电陶瓷电性能的影响
机译:Ba [(Co0.6Zn0.4)1 / 3Nb2 / 3] O3陶瓷的有序无序温度和微波介电性能研究
机译:具有各种应变状态的ba(0.6)sr(0.4)tio(3)薄膜的介电性能
机译:Ba(Zn1 / 3Nb2 / 3)O3-Ba(Co1 / 3Nb2 / 3)O3-Ba(Ni1 / 3Nb2 / 3)O3-BaWO4体系的高频介电陶瓷组成
机译:具有Ba(M 1/3 Sub>Э 2/3 Sub>)O 3 Sub>的组成为Ba = M,Zn,Co,Э=的陶瓷化合物的制备方法铌,钽
机译:包括Ba,Nb,Ta,Zn,Co和K,Na和Li中的至少一种的介电陶瓷材料
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