一种基于BiCMOS工艺的差分压控振荡器

摘要

设计了一种Colpitts型LC振荡器.该电路采用差分结构,具有集成度高,噪声性能良好的优点.该设计基于0.8 μm BiCMOS工艺,实现了中心频率为433 MHz的Colpitts型差分压控振荡器(VCO).电路采用3 V电压供电,频率范围399.8 ～ 465.1 MHz,偏离中心频率1 MHz处的相位噪声是-137 dBc/Hz.