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郑浩; 叶星宁;
电子科技大学;
CMOS; 带隙电压基准源; 低压; 温度系数;
机译:所有CMOS带隙基准电压源的带隙核心和启动电路设计
机译:1V以下15ppm /°C CMOS带隙基准电压源,无需低阈值电压器件
机译:无电阻高精度补偿CMOS带隙基准电压源
机译:低压低输出阻抗CMOS带隙基准电压源
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:超低功率高温和辐射硬互补金属氧化物半导体(CMOS)绝缘体上硅(SOI)电压基准
机译:最新高级低压低温度系数CMOS带隙基准电压源的设计考虑
机译:带隙电压基准的高阶温度补偿(I)
机译:CMOS子带隙基准电压源,其工作电源电压小于带隙电压
机译:CMOS工艺中具有高PSRR和低电压的无OPAMP带隙基准电压源
机译:使用CMOS的带隙基准电压源
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