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蔡道林; 陈后鹏; 王倩; 丁晟; 富聪; 陈一峰; 宏潇; 李喜; 陈小刚; 刘波; 宋志棠; 封松林;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
信息功能材料国家重点实验室;
纳米技术研究室;
上海200050;
相变存储器; 互补型金属氧化物半导体电路; 疲劳特性;
机译:往北大学,基于GE-CU-TE的相变存储器材料开发 - 旨在适用于非易失性相变存储器
机译:基于后端的基于线的电阻RAM在0.13μm部分耗尽的绝缘硅镶嵌工艺中,用于高可靠的耐照射施用
机译:基于系统硫族化物的相变存储材料及其在相变随机存取存储器中的应用
机译:基于0.13µm 8Mb逻辑的CuxSiyO电阻存储器,具有自适应良率提高和工作功耗降低的功能
机译:基于多级单元相变存储器的主存储器的架构技术。
机译:富锂和富锰的温度控制合成Li1.2Mn0.54Ni0.13Co0.13O2高性能空心/亚微球电极锂离子电池
机译:基于标准0.13-μmCMOS技术的相变存储器的RESET电流降低
机译:相变存储器件用纳米结构电极的热性质
机译:使用相同的制造相变存储器件形成相变材料层的原子层沉积工艺方法形成基于硫属化物的薄膜的方法。
机译:相变存储装置,包括多孔氧化层中基于纳米线网络的单元素相变层,以及制造该相变存储器的方法,能够同时形成基于单元素的相变层和纳米相层
机译:基于有机金属化学气相沉积工艺和相变存储器的纳米-铟-碲纳米材料的制备方法
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