多晶碘化汞膜的PVD法制备及其光电特性

摘要

用改进的热壁物理气相沉积(HWPVD)装置制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试和电容频率特性测试。结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高,结构完整性好,均匀性好,并且其相应器件有低的暗电流(电场0.2V/μm时,暗电流为25pA/mm2)和较小的电容(约1pF),可用于实际应用。