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三源真空蒸发CuInSe_2薄膜的性能

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摘要

详细分析讨论了用三源真空蒸发法制取CuInSe2薄膜过程中，源温、衬底温度及Cu，In原子比值对薄膜性能的影响。

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来源
《半导体光电》 |1998年第2期|123-123|共3页
作者
涂洁磊; 刘祖明; 廖华; 陈庭金; 王东城;
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作者单位

云南师范大学;

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正文语种 chi
中图分类 TM914.42;TN304.26;
关键词
半导体薄膜材料; 太阳电池; 三元化合物;

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