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陈岭; 滕敏康;
南京大学物理系;
高Tc超导体; 正电子湮没; 临界涨落;
机译:通过渗透生长过程制备具有高临界电流密度的块状Y-Ba-Cu-O超导体
机译:临界电流密度非常高的大型单畴Y-Ba-Cu-O块状超导体的种子浸润和生长
机译:具有非常细的Y211颗粒的Y-Ba-Cu-O块状超导体中的高临界电流密度
机译:高Tc Y-Ba-Cu-O超导体的微波开关效应
机译:在40-290开氏温度范围内,通过RBS通道角度扫描研究了正常状态下高Tc超导体镧锶锶铜氧化物在正常状态下的非相干晶格涨落。
机译:与重费米子超导体相比掺杂高Tc铜的空穴的临界电流密度揭示了可能的量子临界行为
机译:Y-BA-CU-O高TC超导体的悬浮式线性执行器的基本研究。
机译:Y-Ba-Cu-O高T / sub C /超导体的正电子湮没研究
机译:高Tc超导体中的临界掺杂可实现最大的通量钉扎和临界电流
机译:高临界电流定方向晶粒转变Y-Ba-Cu-O超导体及其生产方式
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