MOS器件的X射线辐照效应

摘要

研究了在10 keV X射线辐照情况下,MOS器件的阈值电压随总剂量和剂量率的改变而变化的趋势。实验结果表明,辐照后,与用Co60作为辐射源辐照所做实验结果明显不同的是,NMOS器件的阈值电压漂移幅度远大于PMOS器件的漂移幅度。文中对这种现象进行了讨论。