Ni_(81)Fe_(19)层厚度对自旋阀巨磁电阻性能的影响

摘要

利用磁控溅射法,制备了一种上钉扎的标准自旋阀结构:Ta(6nm)/Ni_(81)Fe_(19)/Co_(90)Fe_(10)(1nm)/Cu(1.8nm)/Co_(90)Fe_(10)(3.5nm)/Ir_(20)Mn_(80)(8nm)/Ta(6nm),并研究了自旋阀结构中Ni_(81)Fe_(19)层厚度对自旋阀巨磁电阻变化率的影响,发现:巨磁电阻变化率对于Ni_(81)Fe_(19)层厚度具有强烈的依赖性。当Ni_(81)Fe_(19)层厚度位于2～6nm和7～12nm两个范围时,巨磁电阻变化率分别维持在较高(约8.34％)和较低(约3.34％)的两个水平,而当Ni_(81)Fe_(19)层厚度从6nm增加到7nm时,巨磁电阻变化率急剧降低,达5％。由此可见,为了得到高磁阻变化率,此类自旋阀结构中的Ni_(81)Fe_(19)层厚度不能超过6nm。