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王应民; 杜楠; 孙云; 张萌; 蔡莉; 李禾; 程国安; 徐飞;
南开大学信息技术科学学院;
南昌航空工业学院材料科学与工程学院;
南昌大学材料科学与工程学院;
北京师范大学材料系;
化学水浴沉积法; ZnS薄膜; 消光系数; 禁带宽度;
机译:沉积时间对化学浴沉积制备的半导体ZnS薄膜光学和电性能的影响
机译:沉积时间对光辅助化学沉积技术制备的ZnS薄膜光学和发光性能的影响
机译:沉积时间对化学浴沉积制备的半导体ZnS薄膜光学和电学性质的影响
机译:水浴法制备ZnS薄膜
机译:Zn-Ti-O三元和Zn-Ti-Zr-O四元纳米晶涂层的制备,结构及摩擦学性能关系。
机译:后热退火对InP / ZnS量子点薄膜光学性能的影响
机译:厚度对化学浴沉积(CBD)制备的硫化铅(PBS)薄膜光学和结构性能的影响
机译:发射光谱法制备最小化学样品化学形式的电弧法
机译:化学气相沉积法生产ZNS和ZNSE结构及其制备方法
机译:适用于水性介质中阴极保护的牺牲阳极的Al ZnAl Zn合金和SN电化学性能的Zn合金的组成和热处理
机译:化学镀法,化学镀法中使用的催化剂溶液,以及通过使用该方法的化学镀法和催化剂水溶液的制备而形成的要镀有金属膜的金属膜,所述金属膜是通过化学镀法形成的。
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