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申灿; 黄光周; 马国欣; 叶位彬; 朱建明; 戴晋福;
华南理工大学电子与信息学院;
广州510640;
科润真空设备有限公司;
肇庆526060;
原子层沉积; 计算机仿真; 三氧化二铝; 生长速率;
机译:通过原子层沉积在GeON钝化锗表面上沉积的Al2O3 / HfO2双层界面和电学性质
机译:走向原子尺度图案化原子层沉积:具有混合功能的Si(001)表面上的Al2O3前体的反应
机译:二甘醇和三甲基铝前体在分子层沉积的Alucone膜上的生长行为和稳定性的研究,以及原子层沉积的Al2O3封端增强扩散阻挡性能的研究
机译:使用Si-Doped Inp / Inalas Schottky层和原子层沉积Al2O3钝化100-NM栅极长度GaAs MHEM,FMAX为388.2 GHz
机译:在InAs(100)和GaAs(100)表面上高k金属氧化物原子层沉积过程中的表面化学和界面演化。
机译:利用原子层沉积的TiO2 / Al2O3栅叠层表征外延GaAs MOS电容器:Ge自掺杂和p型Zn掺杂的研究
机译:血浆参数对血浆增强原子层沉积在100℃下血浆增强原子层沉积的超薄Al2O3膜性能的影响
机译:利用等离子体增强原子层沉积al2O3制备Gasb(100)的费米能级
机译:用于制造光纤的材料的沉积涉及在要掺杂的材料的表面上和/或在原子层沉积的表面上沉积至少一个掺杂剂沉积层或沉积层的一部分。
机译:2.具有高出现率和低聚合概率的Al2O3 / Ni / Al2O3纳米管,磁性型和“核壳”型纳米管以及包括电纱,原子层沉积和随后的热解过程在内的收集方法,可以缩短合成时间,并且提高产量。
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