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刘克岳; 王金义; 张学仁; 赵宏; 张健平;
华北光电技术研究所;
CdZnTe; 晶体半底; 红外探测器;
机译:衬底位错对用于HgCdTe外延层生长的CdZnTe衬底中Hg扩散的影响
机译:Aselsan,Inc。的Cdznte衬底表面制备技术用于高质量HGCDTE脱落剂的分子束外延生长
机译:块状CdZnTe衬底上MBE生长的HgCdTe层的高分辨率X射线衍射研究
机译:Cdznte衬底厚度对质子辐射下红外HGCDTE光电探测器响应的实验研究
机译:在Cdte / Si衬底上生长的Hgcdte的退火和器件表征。
机译:衬底外Ag–Ag2O纳米板:无表面活性剂的光化学合成结构演变和力学研究
机译:利用分子束外延生长在Insb衬底上的晶格匹配CdZnTe合金的少数载流子寿命
机译:HgCdTe外延CdZnTe衬底的材料质量表征
机译:从CdZnTe衬底上剥离CdZnTe层以生长HgCdTe的方法
机译:平面外可变形半导体衬底,制造外平面可变形半导体衬底的方法,以及平面内和平面外可变形半导体衬底
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