基区重掺杂对突变AlGaAs/GaAs HBT电学性能的影响

摘要

基区重掺杂不仅使基区能带发生变窄效应(BGN),且使突变结界面势垒形状及高度均发生了扰动,这两种因素都对电流输运特性产生重要的影响。基于热场发射 扩散模型,分析了基区重掺杂突变AlGaAs/GaAsHBT中的电流传输特性。结果表明:为了精确描述电流传输,必须考虑突变结界面势垒形状及高度扰动所引起的电流变化。