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张万荣; 曾峥; 罗晋生;
西安交通大学电子工程系;
微电子学研究所;
硅锗合金; 应变; 有效态密度; 本征载流子浓度;
机译:(001)张弛Si_(1-y)Ge_y上的应变Si /应变Si_(1-x)Ge_x双通道pMOSFET的沟道电荷的TCAD准备密度梯度计算
机译:Si_(1-x)Ge_x /(101)Si的本征载流子浓度
机译:Si_(1-x)Ge_x / Si外延层的解析应变松弛模型
机译:Si(1-x)Ge(x)(001)气源分子束外延期间的超高B掺杂:层生长动力学,掺杂剂掺入,电激活和载流子传输的机理研究。
机译:同时提取有机半导体中态宽度载流子迁移率和注入势垒的密度
机译:Si_(1-x)Ge_x合金纳米线的晶格导热系数散射散射:理论研究
机译:si_(1-x)Ge_x / si异质结内部光电发射红外探测器的光响应模型
机译:设置半导体层中载流子浓度的方法和设置半导体激光中载流子浓度的方法
机译:激光退火装置,载流子密度计算装置和载流子密度测量方法
机译:单个分析物的总浓度确定方法,涉及通过校准因子监控样品流中的分析物浓度,该校准因子由未解析化合物的密度和分析物浓度得出
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