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韩英军; 郭丽伟; 黄绮; 周均铭;
中国科学院物理研究所;
多量子阱; 光学特性; 分子束外延; 光荧光; 光折变; 铝镓砷;
机译:不同量子阱深度的近表面AlGaAs / InGaAs / AlGaAs量子阱的电和光学性质
机译:量子阱的AlGaAs / INGAAS /的AlGaAsç不同深度的表面的电学和光学特性
机译:AlGaAs / GaAs / Algaas井中GASB量子环的线性和非线性光学性能的操纵,ALAS / GAAS / INGAAS / ALAS双量子阱
机译:载流子对AlGaAs / GaAs互扩散量子阱激光器的光学特性的影响
机译:InGaAs / GaAs多量子阱中的缺陷产生:晶体和光学特性与外延生长条件的相关性。
机译:低温封顶对GaAs / AlGaAs量子阱光学性质的影响
机译:扩散alGaas / Gaas多量子阱的光学特性及其在高功率激光器中的应用
机译:Gaas / alGaas量子阱的电子和光学特性
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:量子阱结构,光学约束型量子阱结构,半导体激光器,分布式反馈半导体激光器,光谱图和量子阱结构的制造方法
机译:利用GaAs / AlGaAs基体制备量子精细阱的方法
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