杂质非完全离化对SiC n-MOSFET电特性的影响

摘要

文章研究了SiC中杂质非完全离化对器件性能的影响。通过考虑场致离化效应,分析了空间电荷区电荷密度与表面势的关系,得出在SiC MOSFET反型条件下,可近似认为杂质完全离化。在此基础上,模拟了4H-SiC MOSFET的漏电流-栅压曲线和迁移率-栅压曲线。模拟结果与实验数据非常吻合。