CeO2对（Nb，Mn）掺杂的TiO2压敏陶瓷的电性能影响

摘要

通过对样品的伏-安特性、密度、介电常数及晶界势垒的测量和分析，研究了CeO2对新型（Nb，Mn）掺杂的TiO2压敏陶瓷电学性能的影响。掺入0．7％CeO2的样品显示出最高的非线性系数（α=10．5）和最高的击穿电压（E=12．77V·mm^-1），以及最高的相对介电常数（ε／ε0=82900）和样品的烧结密度P=4．15g·cm^-3，与该样品最高且窄的晶界缺陷势垒相一致，可用作压敏．电容陶瓷。为了说明TiO2-Nb2O5-MnCO3-CeO2压敏陶瓷的晶界势垒的形成，提出了晶界缺陷势垒模型。