AgCd和AgSn合金粉的相结构分析

摘要

采用X射线衍射及峰形拟合技术,结合AgCd和AgSn合金相图对雾化工艺制备的AgCd和AgSn合金粉的相结构进行分析,结果表明,AgCd雾化合金粉中Cd原子进入Ag的晶格格点位置,形成固溶结构,在氧化后可以使Ag与CdO之间有比较牢固的化学键结合;AgSn雾化合金粉中含有Ag3Sn和Sn两相,析出的Sn相与Ag相晶体结构差异较大,氧化后Ag与SnO2之间的结合不牢固,这可能是导致AgCdO电接触材料比AgSnO2电接触材料性能优越的一个重要原因。