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何延才; 陈家光;
中国科学院上海硅酸盐研究所;
上海宝山钢铁总厂研究室;
电子散射; 固体;
机译:固体中1-4 keV电子散射的背向散射系数和平均穿透深度
机译:元素固体中200 keV电子的弹性散射:与原子数有关的振荡行为的实验观察
机译:电子背散射系数低于5 keV:解析表达式和表面势垒效应
机译:能量低于1 keV / u的多电子靶碰撞中多电荷离子碰撞的改进经典过势垒模型
机译:含有H,B,C,N,O,F,Si,P,S和CL的分子的总电子散射横截面在0.1-6.0 keV中
机译:低于50 keV He +的固定束全场透射氦离子显微镜:投影图像和强度模式
机译:H +和O +离子与H2,D2和碳氢化合物碰撞中的电子捕获以及低于几个keV体系的其他融合相关分子
机译:固体中0.1-10-keV X射线诱发的电子发射 - 模型和二次电子测量。
机译:用于能量为40–120 KEV电子的高DQE直接检测图像传感器
机译:基于光谱CT的511 keV用于正电子发射断层扫描
机译:照射能量为100-500keV的电子束后
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