功率双基区晶体管（DUBAT）及其压（流）控调频效应

摘要

在重点考虑了提高击穿电压和增大电流容量的基础上，设计并研制出功率型ＤＵＢＡＴ。其主要参数达到：ＢＶ（ＣＥ０）≥１２０Ｖ，Ｉ（ＣＭ）≥２Ａ，ＲＮ≈５０～１１０Ω，Ｐ（ＣＭ）≥１０Ｗ。并在此器件上首次发现了电压（流）控制调节脉冲频率效应。