DPVBi为激子阻挡层的亚单层有机发光器件的制备与光电性能研究

摘要

结合亚单层的有机发光技术,制备了一种多层有机电致发光器件,其结构为ITO/m-MTDATA(50nm)/C545T(0.05nm)/DPVBi(d nm)/DCM2(0.05nm)/Alq(60nm)/LiF(1nm)/Al.荧光材料C545T和DCM2以亚单层的方式插入DPVBi前后,通过改变DPVBi的厚度,观察器件性能的变化,当DPVBi为4nm时,器件在4V电压下最大发光效率是4.19cd/A,在13V电压下最大亮度是17050cd/m2.分析对比了四种不同厚度器件的电流密度-电压曲线、亮度-电压曲线、电致发光光谱图和色坐标,发现选择合适厚度的激子阻挡层,可以得到效率较高的器件.激子阻挡层一般选择载流子传输能力较差,HOMO能级较低的材料.所得结果对有机发光器件尤其是采用亚单层有机白光器件的设计和制作有一定的指导作用.