用场发射涨落法研究钨表面原子在单晶面上自扩散和热粗糙化过程

摘要

本文用场发射涨落法测量了沿着W(011)-W(112)和W(011)-W(001)被探测微区上钨原子和原子缺陷的表面自扩散。在第一个区域,“快”的表面扩散是单个钨原子在平台上做两维的扩散;“慢”的扩散是原子缺陷沿着台阶做一维的扩散且在950～1000K时变为两维的扩散,此时钨台阶结构的表面产生热粗糙化。在第二个区域,热粗糙化发生在更低的温度约750K。