三种低压高速低耗BiCMOS三态逻辑门

摘要

采用0.35μm BiCMOS工艺技术，设计了三种高性能的BiCMOS三态逻辑门电路，并提出了改进三态门电路结构和优化器件参数的方法和措施。仿真和实验结果表明．所优化设计的BiCMOS三态门的电源电压均小于3.3V，工作速度比常用的CMOS三态门快约5倍。功耗在60MHz下仅高出约2．2～3．7mW．而延迟一功耗积却比该常用的CMOS三态门平均降低了38．1％，因此它们特别适用于低压、高速、低功耗的数字系统。