一种改进的硅片薄层电阻及其均匀性表征方法

摘要

概述了微区电阻测试方法及其均匀性表征方法的应用 ,利用自主研制的斜置式方形四探针微区薄层电阻测试仪 ,对P型硅芯片进行了无图形Rymaszewski法测试 ,在 3寸芯片上测试了 5 98个 3 66μm× 3 66μm方形微区的薄层电阻 ,并用等值线图表示了其分布 ,得到了薄层电阻的不均匀度及平均值 ,这种微区薄层电阻表示方法适用于评价材料质量及改进制造工艺。