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程伟; 王元; 赵岩; 陆海燕; 牛斌; 高汉超;
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室;
南京电子器件研究所;
InGaAs; InP; 最高振荡频率; 太赫兹; DHBT; GHz; 异质结双极型晶体管; 集成功率放大器; l; f噪声;
机译:保险人在带有Quantum Yams Ingaas的双频IngaAsp / InP激光器中的太赫兹范围的差异频率
机译:用于太赫兹频率的InP HBT IC技术:高达0.57 THz的基本振荡器
机译:f_T = 300 GHz和最大最大振荡频率的InP / GaAsSb / InP DHBT:缩放对器件性能的影响
机译:SUB-300NM INGAAS / INP类型-I DHBTS具有150nm收集器,30nm基础展示755GHz f {sub}(max)和416ghz f {sub} t
机译:基于SiGe构造波振荡器的太赫兹频率倍增器
机译:基于谐振隧道二极管振荡器的太赫兹范围中的子载波频率调制的连续波雷达
机译:瞄准太赫兹应用的INP DHBT中的热阻抗的可扩展建模
机译:用于太赫兹应用的InGaas / Inp异质外延肖特基势垒二极管
机译:结构、太赫兹波段电磁波振荡器和太赫兹波段电磁波振荡器
机译:太赫兹振荡器,其制造方法,和太赫兹振荡器
机译:结构,太赫兹带电磁波振荡元件和太赫兹带电磁波振荡器
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