Bi_3.75Ce_0.25Ti_3O_12电致阻变薄膜的制备及其性能研究

摘要

采用溶胶-凝胶工艺在Pt/TiO2/Si衬底上制备Bi3.75Ce0.25Ti3O12电致阻变薄膜，研究退火温度对Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜结构和介电、阻变特性的影响，分析了薄膜在低阻态和高阻态时的电流传导机理。结果表明，所制备Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构，不同退火温度Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜的低、高阻态电流比ILRS/IHRS在104-106，在600℃时有2.5 V的最低Vset电压。无论是高阻态还是低阻态，Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜的介电常数都随退火温度的升高而增大，介电损耗则随退火温度的升高而减小，高阻态大于低阻态时的介电常数和介电损耗。在低阻态和高阻态的低压区以欧姆传导为主，在高阻态的高压区以空间电荷限制电流（SCLC）传导为主。