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张波; 章文通; 蒲松; 乔明; 李肇基;
电子科技大学电子科学与工程学院 成都610054;
功率半导体; 超结器件; 结型耐压层; 硅极限;
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机译:4H-SIC和2H-GAN垂直超结(SJ)设备的性能限制
机译:超结实的高磁场磁化强度和键结受阻的MnCr2S4中的超固相
机译:使用深沟槽的超结功率器件的改进的结终端设计
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