0.25μm发射极InP DHBT材料生长与器件性能研究

摘要

采用固态源分子束外延系统（SSMBE），研究InP双异质结双极晶体管（DHBT）的结构设计及外延生长技术。通过采用碳掺杂浓度和InGaAs组分双缓变的基区生长工艺，提高基区的内建电场，加速载流子的渡越，提高基于0.25μm发射极工艺InP DHBT器件的频率性能。此外，InGaAs帽层材料通过双Si源掺杂以及调控生长条件，实现高N型掺杂，材料表面粗糙度为0.42 nm。利用该双缓变基区以及高N型掺杂帽层生长工艺，制备0.25μm发射极InP DHBT器件，其增益为29，击穿电压为3.8 V，在工作电流密度为5.7 mA/μm~2时，电流增益截止频率为403 GHz，最大振荡频率达到660 GHz。