首页> 中文期刊> 《半导体光电》 >影响InGaAsP/InP LD和LED寿命的因素

影响InGaAsP/InP LD和LED寿命的因素

         

摘要

<正> InGaAsP/InP激光器(LD)寿命的判定,不仅考虑它的驱动电流或阈值电流的增加,也要考虑模式和模式变化。到目前为止,对LD寿命的定义没有统一规定,但在寿命考核时,往往固定输出光功率,以驱动电流或阈值电流的增加或其它失效判据的工作时间为激光器的寿命。InGaAsP/InP发光二极管(LED)的退化机理与激光器(LD)类似,但LED的寿命是以光功率的下降为判据,因为LED是

著录项

  • 来源
    《半导体光电》 |1986年第4期|65-67|共3页
  • 作者

    刀戈木;

  • 作者单位

    重庆光电技术研究所;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号