超低暗电流异质结电荷耦合器件

摘要

用公式阐明了一种模型以说明暗电流（JD）的主要来源,JD是异质结肖特基（schottky）栅电荷耦合器件（CCD）单像素上的暗电流。这个模型预示了JD对温度的依赖关系并表明对于适当地制作的栅、沟道内的体内产生是暗电流的主要来源。为了证实这模型的正确性,在23—55℃的温度范围内测试Al0.3Ga0.7As/GaAs n—P+异质结CCD阵列的暗电流。在室温下典型的值是JD≈83PA/cm~2,有些像素的JD低到43PA/cm~2。这些是迄今报导的CCD结构的最低的暗电流。55℃的数据表明、JD升到～1nAl/cm~2。数据更进一步证实了模型预示的JD对温度的依赖关系。