对GaP绿色发光材料的缺陷观察及分析

摘要

用高倍金相显微镜及红外显微镜,对掺杂为Te、晶面是（111）的n型GaP单晶及掺N、Zn液相外延生长的P型GaP外延层,进行了缺陷及杂质偏析的观察;从而分析了导致偏析的原因及缺陷形成和增殖的机理。